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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
3,231.0
18.1
写入速度,GB/s
1,447.3
13.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3125
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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