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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
63
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
62
读取速度,GB/s
3,231.0
15.9
写入速度,GB/s
1,447.3
7.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1891
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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