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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

差异 规格 评论

差异

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 19.4
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 63
    左右 -232% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    3,231.0 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    1,447.3 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3290

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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内存RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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