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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 17.6
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 63
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    3,231.0 left arrow 17.6
  • 写入速度，GB/s
    1,447.3 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3126

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
内存RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
内存RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
内存RAM
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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内存RAM