RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
总分
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
50
左右 -67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,457.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
30
读取速度,GB/s
3,757.3
16.3
写入速度,GB/s
1,457.4
12.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
557
3052
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM的比较
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link