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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

总分
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

总分
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

差异 规格 评论

差异

Team Group Inc. UD5-6400 16GB 需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 73
    左右 71% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB 需要考虑的原因
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    21 left arrow 73
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 15.2
  • 写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3774 left arrow 1843

Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM的比较

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
内存RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
内存RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
内存RAM