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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
14.3
13.5
写入速度,GB/s
8.7
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2376
2155
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAM的比较
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. 16GB
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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