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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
比较
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
19
读取速度,GB/s
12.1
18.4
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1989
3189
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB RAM的比较
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AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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