RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
70
87
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
70
读取速度,GB/s
3,155.6
15.3
写入速度,GB/s
870.4
8.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1971
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link