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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
21.4
写入速度,GB/s
870.4
16.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3739
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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