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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
18.2
写入速度,GB/s
870.4
15.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3559
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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