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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
18.2
写入速度,GB/s
870.4
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3529
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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