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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
13.7
写入速度,GB/s
870.4
10.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2505
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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