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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
15.2
写入速度,GB/s
870.4
10.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2705
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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