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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
17.8
写入速度,GB/s
870.4
13.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3115
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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