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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
16.5
写入速度,GB/s
870.4
12.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3193
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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