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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905624-008.A00G 8GB

总分
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

总分
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
Kingston 9905624-008.A00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 87
    左右 -222% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    87 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    3,155.6 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    417 left arrow 2416

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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内存RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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内存RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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