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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
13.4
写入速度,GB/s
870.4
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2825
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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