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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
15.7
写入速度,GB/s
870.4
14.9
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3368
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
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