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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
87
100
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
100
读取速度,GB/s
3,155.6
15.2
写入速度,GB/s
870.4
8.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1479
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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