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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
87
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
56
读取速度,GB/s
3,155.6
18.7
写入速度,GB/s
870.4
8.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2235
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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