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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
16.7
写入速度,GB/s
870.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3447
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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