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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
53
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
38
读取速度,GB/s
3,726.4
14.2
写入速度,GB/s
1,590.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2429
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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