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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
12.2
写入速度,GB/s
1,590.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2869
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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