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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
14.8
写入速度,GB/s
1,590.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2641
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XCCT36-MIE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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