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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
17.7
写入速度,GB/s
1,590.1
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3483
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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