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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
18.1
写入速度,GB/s
1,590.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3706
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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