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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
53
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
23
读取速度,GB/s
3,726.4
17.2
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3227
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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