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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
19.0
写入速度,GB/s
1,590.1
15.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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