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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
36
读取速度,GB/s
3,726.4
13.8
写入速度,GB/s
1,590.1
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2550
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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