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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
16.0
写入速度,GB/s
1,590.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2436
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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