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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
53
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
46
读取速度,GB/s
3,726.4
15.9
写入速度,GB/s
1,590.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2936
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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