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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
15.9
写入速度,GB/s
1,590.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2927
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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