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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.8
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
49
读取速度,GB/s
3,726.4
8.8
写入速度,GB/s
1,590.1
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2331
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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