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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
10.9
13.8
写入速度,GB/s
7.5
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2073
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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