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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.6
16.0
写入速度,GB/s
7.2
10.1
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2529
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Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB RAM的比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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