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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 26
    左右 4% 更低的延时
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB 需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.7 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 13.7
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 10.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 2740

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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内存RAM
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