RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2621
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link