RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2621
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link