RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
65
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link