RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link