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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
36
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3022
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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