RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
36
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3022
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link