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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    58 left arrow 62
    Rund um 6% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,118.4 left arrow 1,950.7
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    58 left arrow 62
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,241.0 left arrow 4,172.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,950.7 left arrow 2,118.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    651 left arrow 753

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