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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

总分
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    58 left arrow 62
    左右 6% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 4
    测试中的平均数值
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,118.4 left arrow 1,950.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 62
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 4,172.1
  • 写入速度，GB/s
    1,950.7 left arrow 2,118.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    651 left arrow 753

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较

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