RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
65
Rund um -242% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
18.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
3905
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Inmos + 256MB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link