RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
65
Wokół strony -242% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3905
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link