RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
60
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2411
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link