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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
94
En -248% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
27
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3711
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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