RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
94
Autour de -248% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
27
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3711
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link